姚雄, 博士，研究员, 博士生导师。2016年于中国科学技术大学张裕恒院士研究组获得博士学位，并先后于香港科技大学（2017年）以及美国罗格斯大学量子材料合成中心（2018年-2022年）从事博士后研究，2022年8月加入中科院宁波材料所量子功能材料团队。
研究方向为量子材料薄膜的分子束外延生长制备、表征、调控及其相关的自旋电子学应用，在量子材料薄膜及异质结的生长设计、外延制备、表征优化和物性调控等方面取得若干代表性成果：利用高质量单晶衬底优化界面化学和结构匹配性，实现拓扑绝缘体磁近邻体系中反常霍尔效应的数量级提高；利用非磁性间隔层在磁性拓扑绝缘体异质结中实现对体系磁性的大幅度调控，并利用界面层耦合实现了高磁场下的拓扑霍尔效应；发现一种新颖的混合对称性外延生长模式，并应用在Fe(Te,Se)-Bi2Te3(MnTe)异质结的外延生长中，为研究该体系中的Majorana束缚态奠定基础。以第一作者在Nano Letters，JACS等期刊发表多篇文章，担任Science Advances, Nature Communications, Advanced Materials, Nano Letters等期刊审稿人。
Email: yaoxiong@nimte.ac.cn

研究方向：薄膜材料（包括量子材料、低维半导体材料等）的分子束外延生长制备、表征、调控及其相关的器件应用
招生方向：材料物理与化学，材料学
每年招收研究生 2-3 名，材料物理与化学、材料学或凝聚态物理相关专业背景。欢迎同学们来做本科毕业设计、攻读硕士/博士学位、当课题生。
正在招聘博士后，负责量子材料或低维半导体材料的外延生长及物性表征。

个人网页：https://xyao.nimte.ac.cn/

代表性论文：
1. Xiong Yao*, Alessandro R. Mazza, Myung-Geun Han, Hee Taek Yi, Deepti Jain, Matthew
Brahlek, and Seongshik Oh*, Superconducting Fourfold Fe(Te,Se) Film on Sixfold Magnetic MnTe
via Hybrid Symmetry Epitaxy, Nano Letters 2022, 22, 18, 7522-7526.
2. Xiong Yao*, Hee Taek Yi, Deepti Jain, Myung-Geun Han, Seongshik Oh*, Spacer-layer-tunable
magnetism and high-field topological Hall effect in topological insulator heterostructures, Nano Letters 2021, 21, (14), 5914-5919.
3. Xiong Yao*, Matthew Brahlek, Hee Taek Yi, Deepti Jain, Alessandro R. Mazza, Myung-Geun
Han, Seongshik Oh*, Hybrid symmetry epitaxy of the superconducting Fe(Te,Se) film on a topological
insulator, Nano Letters 2021, 21, (15), 6518-6524.
4. Xiong Yao, Jisoo Moon, Sang-Wook Cheong, Seongshik Oh, Structurally and Chemically Compati-
ble BiInSe3 Substrate for Topological Insulator Thin Films, Nano Research 2020, 13, (9), 2541-2545.
5. Xiong Yao, Bin Gao, Myung-Geun Han, Deepti Jain, Jisoo Moon, JaeWook Kim, Yimei Zhu, Sang-
Wook Cheong, Seongshik Oh, Record-high proximity-induced anomalous Hall effect in (BixSb1-x)2Te3
thin film grown on CrGeTe3 substrate, Nano Letters 2019, 19, (7), 4567-4573.
6. Zhongheng Liu#, Xiong Yao#, Jifeng Shao#, Ming Zuo, Li Pi, Shun Tan, Changjin
Zhang, and Yuheng Zhang, Superconductivity with Topological Surface State in SrxBi2Se3, Journal
of the American Chemical Society 2015, 137, (33), 10512-10515.