2012年度美国电化学学会秋季例会第222届会议（222nd ECS Meeting-PRIME 2012)于2012年10月7日—12日在夏威夷召开。

      宁波材料所曹鸿涛研究员、万青研究员和竺立强副研究员参加了主题为 “Thin-Film Transistor 11”薄膜晶体管相关研究的专题会议，与国际上从事薄膜晶体管器件相关研究的大学、研究所和工业界的专家、学者、研发人员同场交流。

       曹鸿涛研究员作了题目为“Ambipolar SnO thin-film transistors and inverters ”口头报告，介绍了可同时、可控传导电子和空穴的双极性薄膜晶体管在多功能器件设计及工艺简化方面的重要性及其开发所面临的挑战，介绍了SnO双极性薄膜晶体管的制作工艺及其优异的电学性能。研究成果得到了细野秀雄教授（新型氧化物IGZO材料的发明人）的高度评价。

       万青研究员作了题为“Dual In-Plane-Gate Thin-Film Transistors Gated by Chitosan on Paper Substrates”的口头报告，介绍了离子液双电层的形成机理、壳聚糖的双电层效应、柔性双电层薄膜晶体管的制作工艺，提出了低工作电压双电层薄膜晶体管的潜在应用领域：便携式传感器件、新型神经元器件等。

     竺立强副研究员作了题为“Laser patterned junctionless in-plane-gate oxide thin-film transistors arrays”的口头报告，介绍了多孔SiO2的质子导电特性，分析了其质子导电的机理，介绍了SiO2的双电层效应。以此为基础介绍了一种激光直写无结薄膜晶体管的制作工艺。制作的无结薄膜晶体管可以在侧柵、双侧柵两种模式下工作，而且双侧柵型无结薄膜晶体管具有逻辑运算功能。

      以上三个会议报告均被收录进“ECS Transactions, Thin Film Transistor 11 ”会议论文集。

曹鸿涛口头报告现场

万青口头报告现场 

   本次会议参会人员规模大，论文数量达到了4000余篇，具体研讨了9个方面的问题：电池、燃料电池与能源转换；生物医用与有机电化学；腐蚀、钝化与阳极氧化膜；介电与半导体材料、器件和工艺；化学、电化学沉积与刻蚀；电化学合成工程；富勒烯、纳米管和碳纳米结构；物理与分析电化学；传感器与显示器的原理、材料和工艺。在“Thin-Film Transistor 11”薄膜晶体管分会中，共有口头报告40个，Poster 18篇。会议报告精彩，展示了最新发展动向和趋势，与会成员讨论热烈。

（纳米事业部  曹鸿涛）